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功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡，从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能。本研究就VDMOS管D-PAK封装模式，给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响，并利用FEA方法建立了其D-PAK封装的热学模型。根据模拟结果，在贴片层中气泡含量提高时，热阻会急剧增大而降低器件的散热性能。