非晶半导体光致发光的温度依赖关系

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研究了a-Si:H,a-Si:H,F,a-Si:H,Cl以及a-Si:H,Cl,O等非晶硅薄膜光致发光的温度依赖关系。测量了各种样品的无辐射跃迁激活能ε,并试图寻求激活能ε与样品的制备条件和结构之间的关系;同时从发光强度的温度相关性确定了带尾态密度分布参数T_0,以及T_0与发光光谱形状之间的关系。并将实验结果与瞬态光电导的数据进行了比较。 The temperature dependence of photoluminescence of a-Si: H, a-Si: H, F, a-Si: H, Cl and a-Si: H, Cl, We measured the non-radiative transition activation energy ε of various samples and tried to find the relationship between the activation energy ε and the fabrication conditions and structure of the samples. At the same time, the tail-end density distribution parameter T_0 was determined from the temperature dependence of the luminescence intensity T_0 and the relationship between the shape of the luminous spectrum. The experimental results are compared with the data of transient photoconductivity.
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