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理论上硅CCD在0.1nm到1.1μm之间都有响应,但通常此种器件在800nm以后量子效率下降明显,一般会小于50%,其中最主要的原因是近红外光子的吸收深度大于CCD的外延层厚度,使大量光子穿透整个器件。显然增加外延层的厚度是解决这一问题的良好途径,但随着外延层的增加,必须使用高阻抗的材料,否则会明显的减低分辨率,另外增透膜的使用也会使量子效率大幅度提高,而且有效的减弱了干涉条纹的影响,新型P沟道