论文部分内容阅读
介绍了SOI器件的可偏压隔离阱结构,对这种结构抗单粒子翻转的可能性进行了分析,对采用此结构的反相器的抗单粒子翻转性能利用器件模拟软件Medici和电路模拟软件Hspice进行了模拟.最后对基于可偏压隔离阱的抗单粒子翻转器件的应用给予了讨论.
一种抗单粒子翻转的SOI器件结构
【摘 要】
：
介绍了SOI器件的可偏压隔离阱结构,对这种结构抗单粒子翻转的可能性进行了分析,对采用此结构的反相器的抗单粒子翻转性能利用器件模拟软件Medici和电路模拟软件Hspice进行了
【机 构】
：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院研究生院
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
2006年z1期
其他文献
通过金相显微镜和扫描电镜的观察,探讨了热变形低铬白口铸铁中颗粒状碳化物的形成,分析认为:尺寸较大的碳化物来源于铸态中棒状碳化物;尺寸较小的碳化物直接从基体中形核;尺
网络辅助教学作为目前国内院校运用最普遍的信息化教学方式之一,在实际应用当中仍然存在着一些突出问题。文章对问卷调查结果与实际运行数据进行分析,讨论网络辅助教学实施效
当前,无缝学习中的交互研究集中在学习者与物化形态的学习资源之间的交互设计,而无缝学习中学习者之间的交互、师生之间的互动反馈研究甚少。本研究旨在从无缝学习中认知交互
制动液是汽车制动系统至关重要的安全用品，使用陈旧的刺动液很容易导致制动系统在紧急制动的情况下失效。在连续使用两三年甚至更长时间未见异常的情况下，很多车主对于制动液的
本文利用有限差分方法计算了真空微电子三极管中的电势与电场分布，研究了尖端顶部的电场受尖端曲率半径及栅圆坏直径的影响情况，并模拟计算了该管的静态输出特性。另外通过改变
目前常用的点火器Ｎｉ－Ｃｒ金属桥丝（热桥丝）体积较大，点火能量高（几十毫焦），作用时间长（几毫秒）且易误触发，本文中采用半导体器件物集成电路技术研制的新一代点火器－－半导体桥（ＳＣＢ）体积小（为热桥丝三十
在200℃和680℃下对P型（100）单晶硅进行不同剂量的C+注入，实验表明680℃下注入形成的β-SiC埋层存在＜100＞取向生长的结晶态，经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火后，结晶度得到进一步增
该研究以浙江省三所独立学院为样本,对其外语教育信息资源建设指导思想、建设途径及投入、现有资源构成及其主要内容、资源利用、资源管理和资源评估等六方面进行了调查。结