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详述了目前用于亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电保护方法，比较了它们各自的特点，并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅ＥＳＤ保护电路的工作原理。
深亚微米低压CMOSIC的ESD保护方法
【摘 要】
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详述了目前用于亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电保护方法，比较了它们各自的特点，并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅ＥＳＤ保护电路的工作原理。
【机 构】
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北京微电子技术研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1999年3期
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