【摘 要】
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经颅磁刺激（TMS）是一种非侵入式、无创无痛的神经检测和治疗技术。其中,重复经颅磁刺激（r TMS）具有调节病变区皮质兴奋性等复杂机制,在神经性疾病治疗研究方面具有巨大潜在价值,
【机 构】
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中国科学院生物电磁学北京市重点实验室,中国科学院大学电子电气与通信工程学院,工业和信息化部电信研究院
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(51577183;51307166;31400717)
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经颅磁刺激（TMS）是一种非侵入式、无创无痛的神经检测和治疗技术。其中,重复经颅磁刺激（r TMS）具有调节病变区皮质兴奋性等复杂机制,在神经性疾病治疗研究方面具有巨大潜在价值,已经成为当今的研究热点。电容器充电技术是重复经颅磁刺激的核心技术,直接影响r TMS的性能,研制高效和可靠的电容充电电源成为r TMS技术发展的迫切需求。目前比较成熟的电容器充电技术中,高频开关变换器充电方式较其他方式具有明显的优势,随着电力电子器件的发展已成为当今的主流。本文首先详细介绍了两种高频变换器拓扑结构：PWM变换器和谐
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