【摘 要】
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本文用Hall效应、电阻率和红外吸收测量研究了热处理NTD CZ Si中的热施主TD和新施主ND的形成和退火行为。中子辐照使表观TD浓度显著下降,而促使ND的形成。在NTD CZ Si中,氧因
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本文用Hall效应、电阻率和红外吸收测量研究了热处理NTD CZ Si中的热施主TD和新施主ND的形成和退火行为。中子辐照使表观TD浓度显著下降,而促使ND的形成。在NTD CZ Si中,氧因辐照增强扩散在无序区处聚集成大尺寸复杂硅-氧集团是ND形成的主要原因。
In this paper, the formation and annealing behaviors of thermal donor TD and new donor ND in heat treated NTD CZ Si were investigated by Hall effect, resistivity and infrared absorption measurements. Neutron irradiation significantly decreased the apparent concentration of TD, which led to the formation of ND. In NTD CZ Si, the main reason for the formation of ND is oxygen agglomeration in the disorder region due to enhanced diffusion of oxygen into large-size complex silicon-oxygen clusters.
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