【摘 要】
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通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器.采用两级结构提高低噪声放大器的增益,设计了一种共用电流结构,降低了放大器的功耗,同时降低电路噪声.输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络,具有良好的匹配性,并使用CAD软件对电路进行设计优化.电路仿真结果表明,在中心频率12 GHz下实现了增益为27.299 dB、噪声系数为0.889dB、S11和S22均小于-10dB的性能,工作带宽为600 MHz.此低噪声放大器作为12 GHz频段的接收机的前端设计研究,具有一定意义.
【机 构】
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成都飞机工业(集团)有限责任公司,四川成都610090;四川大学物理学院,四川成都610065
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通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器.采用两级结构提高低噪声放大器的增益,设计了一种共用电流结构,降低了放大器的功耗,同时降低电路噪声.输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络,具有良好的匹配性,并使用CAD软件对电路进行设计优化.电路仿真结果表明,在中心频率12 GHz下实现了增益为27.299 dB、噪声系数为0.889dB、S11和S22均小于-10dB的性能,工作带宽为600 MHz.此低噪声放大器作为12 GHz频段的接收机的前端设计研究,具有一定意义.
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