电信业进入二十一世纪之后，对网络带宽的需求还在持续增加。波分复用技术(WDM)、大范围可调谐激光器和单片集成技术的出现，极大地增加了每个光纤内传送的数据量，同时降低了光通信器件的制作成本。在过去的几十年中，量子阱混杂技术(QWI)被证明为一种简单有效的实现单片集成的方法。而其中的KrF准分子激光器量子阱混杂技术由于效果好、稳定性好，逐渐成为了最有希望的方法之一。　　在本文中，利用实验室现有的KrF准分子激光器开发了基于紫外激光照射的量子阱混杂技术。首次应用这项技术成功制作了FP激光器和无源波导。测试得到的FP激光器和无源波导的性能甚至比量子阱混杂之前的性能更好。随后，我们将该技术应用到V型腔激光器中，首次实现了基于载流子注入的波长调谐功能。其中腔长差5％的器件可以实现1550nm波段100GHz间隔的32个通道的单电极调谐，同时边模抑制比(SMSR)可以达到35dB，与热调谐的V型腔激光器可以媲美。此外，调谐电流仅0～40mA，比热调谐的电流(＞100mA)小得多。最后，我们分析了该激光器的波长切换性能。相邻通道的切换时间仅1ns左右，比热调谐的时间快了4个数量级。我们还研究了间隔通道数对切换时间的影响，发现随着间隔通道数增加，波长切换时间也随之增加，最后在10ns左右趋于饱和。这种单电极控制的快速波长可切换半导体激光器在未来的波长路由光网络中有广阔的应用前景。