氧化锡（SnO2）是一种新型的宽禁带半导体材料，室温下，禁带宽度为3.6eV。由于其具有可见光透光性好、电阻率低、物理化学性质稳定等特点，已被广泛应用于气敏传感器、透明导电薄膜及光电器件等领域。由于本征SnO2为n型半导体材料，因此，通过掺杂得到光电性能良好的p型SnO2材料成为了当今研究的热点和难点。本文采用CVD法成功制备出不同Sb掺杂含量的p型SnO2薄膜和p-SnO2:Sb/n-SnO2的同质p-n结器件，并对其结构、光电等特性进行了研究，具体研究内容如下：（1）利用CVD法在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO2薄膜，并研究了不同Sb含量对SnO2薄膜的表面形貌、晶体结构、光学和电学性质的影响。研究发现随着Sb含量的增加，样品表面变得平滑，晶粒尺寸逐渐增大，而且晶体质量有所改善，结果表明少量Sb的掺入起到表面活化剂的作用。此外，我们还发现随着Sb含量的增加，样品的光学带隙出现了蓝移现象，而且Hall测量结果也证实适量Sb的掺杂可以使SnO2呈现p型导电特性，当Sb2O3/SnO的质量比为1:5时，其电学参数为最佳值。（2）采用CVD法，在硅和蓝宝石衬底上成功的制备出Sb掺杂SnO2薄膜以及p-SnO2/n-SnO2同质p-n结器件。X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明：在蓝宝石衬底上生长的SnO2薄膜晶体质量较好，且薄膜表面平整致密；霍尔（Hall）测试给出在蓝宝石衬底上制备的SnO2薄膜为p型导电特性。此外，通过电流-电压（I-V）特性曲线给出，在蓝宝石和硅衬底上制备的p-n同质结器件均展现出良好的整流特性，其开启电压分别为2.5V和3.8V。通过本实验的研究表明蓝宝石更适合于做SnO2材料的衬底。