不同衬底相关论文
Mg_2Ge半导体材料是一种新型环保材料,Mg_2Ge材料具有高的塞贝克系数、高电导率和低热导率等特点,是高性能的中高温热电材料,作为......
本文介绍了GaAs,InP 和GaN三种不同衬底的高电子迁移率晶体管小信号模型,比较了三种不同衬底器件的物理结构.开路测试,短路测试,去......
在充分考虑到自加热和热耦合效应所导致的各发射极指上沿指长方向温度分布不均匀的基础上，建立了可精确模拟多指功率异质结双极晶体......
GaSb的禁带宽度是0.72eV，为低禁带半导体，是红外探测器和光伏电池的主要材料。用传统的方法获得GaSb电池的代价很高。本文采用共蒸发......
TiO2 薄膜通过溶胶凝胶法（sol-gel）沉积在SiNx、SiOx、Si等不同衬底上，并采用XRD、 Raman光谱等实验手段分析TiO2 薄膜在不同衬底上的......
本文采用等离子体辅助金属有机物化学气相沉积法在不同衬底上生长非故意掺杂p型ZnO薄膜.最佳电阻率为12.7 cm,空穴浓度为1.88×101......
本文采用磁控溅生长技术在GaAs(100),Si(100),Si(111),Al2O3(0001)和玻璃等不同衬底生长GaN薄膜.同时采用X射线双晶衍射,光致发光......
利用射频磁控溅射法在低阻Si,SiO2/Si以及Pt/Ti/SiO2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能......
该文讨论了１．纸张背衬不同衬底的透明度的换算公式，使在不同衬底下测得的透明度可以换算成标准值。２．不同定量的纸张的透明度的换算方法......
运用射频磁控溅射方法研究了不同衬底上立方氮化硼薄膜的生长。红外谱分析表明在硬质合金衬底上沉积立方氮化硼薄膜时，负偏压对立方......
采用大直径中空柱状阴极直流磁控溅射装置,在LaAlO3和Zr(Y)O2衬底上制备YBCO超导薄膜.用透射电镜(TEM)、扫描隧道显微镜(STM)和原......
采用化学水浴法在不同衬底上制备了CdS薄膜.测试表明,所制备薄膜具有良好的致密性且晶粒大小均匀、表面平整;随着薄膜厚度的增加,......
磷脂是生物膜的主要成分,构成了细胞膜的骨架。研究单一或少数几种磷脂构成的脂质体系,能够帮助理解极其复杂的生物膜系统,对于揭......
超导体是二十一世纪最重大的发现之一,它将引领一次新的技术革命。高温超导体YBa2Cu3O7-δ(YBCO)以其可以工作在液氮温度以上,且较......
