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采用DMAC-DPS(B)蓝色,4CzIPN(G)绿色和4CzTPN-Ph(R)红色的热激活延迟荧光(TADF)发光材料以及 G/B,G/R/B 和 R:G(在 4CzIPN(G)主体中掺杂 4CzTPN-Ph(R))/B等多种发光层(EML)结构,制备了白光有机发光二极管(WOLED)。研究了包括EML厚度和4CzTPN-Ph(R)掺杂浓度等EML结构变化对电致发光(EL)性能的影响。发现具有简单EML结构G(20 nm)/B(10 nm)的WOLED表现出约16 lm/w的最大功率效率(PE)和81的显色指数(CRI)。同时,R:G/B EML具有比G/R/B EML更好的EL性能。特别是通过精心调节EML厚度和4CzTPN-Ph(R)的掺杂浓度,对于R(1 wt%):G(20 nm)/B(10 nm)EML,可以获得高达90的高CRI值和大约为13 1m/W的最大PE,表明在基于TADF发光材料的非掺杂WOLED中,EL效率和CRI之间达到了平衡。此外,与混合的 EML 结构 R(1 wt%):G(20 nm)和 R(1 wt%):G(20 nm)/B(10 nm)相比,堆叠的G(20nm)/R(0.1 nm)和G(20 nm)/R(0.1 nm)/B(10 nm)EML显示出更严重的延迟荧光(DF)削弱,意味着其中的0.1 nm4CzTPN-Ph(R)层会进一步增强淬灭效果,这将导致EL性能下降。瞬态光致发光(PL)衰减动力学的分析得出R(1 wt%):G(20nm)/B(10nm)和G(20 nm)/R(0.1 nm)/B(10 nm)EML中的能量转移路径不同,其中能量从DMAC-DPS(B)到4CzTPN-Ph(R)的转移在 R:G/B 中可以忽略,而在 G(20 nm)/R(0.1 nm)/B(10 nm)的 EL 过程中起关键作用。此外,与R(1 wt%):G(20nm)/B(10 nm)EML中的能量转移相比,G(20 nm)/R(0.1 nm)/B(10 nm)EML中的能量转移显着增强,无论是从DMAC-DPS(B)到4CzIPN(G)和 4CzTPN-Ph(R),还是从 4CzIPN(G)到 4CzTPN-Ph(R)的能量转移,共同导致瞬态荧光(PF)的增强和延迟荧光(DF)的减弱。由于TADF发光材料中DF处于主导地位,堆叠的G(20 nm)/R(0.1 nm)/B(10 nm)EML的DF过程受阻严重将对WOLED的EL性能产生不利影响,R(1 wt%):G(20 nm)/B(10 nm)的EML更有利于实现EL效率和CRI之间的平衡。我们的研究提供了一种通过使用TADF发光材料和结构简单的EML来获得高质量WOLED的方法。