在液晶光电的TFT-LCD制程中所采用的配向方式并不是业界常用的摩擦配向,而是深圳H光电公司（以下简称H公司）独有专利的HVA（Huaxing Vertical Alignment）技术。其技术特点是利用原始的液晶分子中加入少许的聚合物单体（Monomer）,在成盒工序完成后经过加电压并照射UV光的特殊制程,使活性单体分子在聚酰亚胺薄膜表层聚合成高分子层。此高分子层功能类似微型的传统的突出物（Protrusions）,但不会降低开口率,且能提供所需的预倾角。研究意义:因H公司光配向技术起步较晚,且韩系和日系厂商的技术保密,随着液晶光电公司高端产品的不断开发,原有的一些改善技术方法已经不适用日益高端的产品设计和生产。本研究课题重点针对H公司的新机种开发和量产过程中出现的液晶光配向暗纹问题进行改善研究,提升产品的良率和竞争力,减少公司的成本,增加公司的利润。液晶光配向暗纹是局部或者整面的液晶分子没有按照设计的方式排列,即没有形成所需的预倾角。在微观上观察像素（Pixel）中间会出现暗纹。常规的暗纹主要跟聚酰亚胺薄膜（PI）涂布膜厚、液晶污染、制程间隔时间（Q Time）、配向调试引线（Curing pad）、静电释放（Electro-Static discharge,ESD）造成的短路等因素相关,本次研究的对象主要是更有挑战难度的电压类、应力类、静电类光配向暗纹。本课题研究主要成果如下:1)电压类暗纹,a.对49寸超高清显示（Ultra high definition display,UD）产品设计和暗纹膜品发生规律研究,通过交流（AC）降频到5HZ来改善因产品设计电容电阻延时（RC Delay）过大而导致的暗纹爆量问题;b.43寸LOC（（laser cut on CF））设计的产品因采用的彩色滤光片（Color Filter,CF）侧直流（DC）Curing,实验发生薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）侧的 ITO 关键尺寸（Critical Dimension,CD）的细微变化会干扰到液晶分子配向电场,通过TFT阵列（Array）ITO制程管控和HVA参数拓宽ITO Margin。2)应力类暗纹,为解决55寸UD产品Three-TFT（3T）设计对机台端应力敏感的问题,通过实验设想和规划找到Array公共电极（A-COM）最佳的电压新参数,解决TFT侧A-COM接地而引起的应力类异常,并在多款机种得到应用和改善。3)静电类暗纹,因生产制程环境不能保障基板每个位置达到最佳的静电状况,通过分析拟定改善实验,找出缓慢爬坡HVA参数,解决静电类暗纹,拓宽制程Margin。