【摘 要】
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该文对(A,B)TiO基掺杂高介质晶界层电容器陶瓷材料的制备、微观组成结构及介电性能进行了较系统的研究,分析了不同工艺条件和工作环境对材料宏观性能的影响.论文主要内容如下
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该文对(A,B)TiO<,3>基掺杂高介质晶界层电容器陶瓷材料的制备、微观组成结构及介电性能进行了较系统的研究,分析了不同工艺条件和工作环境对材料宏观性能的影响.论文主要内容如下:1.采用草酸盐化学共沉淀--煅烧法制备了(A<,X>B<,1-X>)TiO<,3>为基的复合陶瓷微细粉末,通过施主杂质和受主杂质、助熔剂的掺杂,沿用传统的陶瓷工艺手段制得片状高介质晶界层电容器功能陶瓷材料.2.在还原性气氛下,采用高温煅烧进行材料的烧结,然后在氧化气氛下进行热处理,通过控制不同氧化热处理温度、氧化热处理时间和冷却速率,考察其对材料介电性能的影响.3.考察环境温度、工作频率、工作电压对材料介电性能的影响.4.结合实验讨论并分析材料晶粒半导化、晶界绝缘化和材料大电容特性的机理.
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