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该文对(A,B)TiO基掺杂高介质晶界层电容器陶瓷材料的制备、微观组成结构及介电性能进行了较系统的研究,分析了不同工艺条件和工作......
本学位论文是关于BaSnO3半导体陶瓷材料的制备技术及电性能方面的研究。首先,通过对传统的固相烧结法制备工艺进行改进和优化,包括引......
在25-355K温区范围内测定了陶瓷样品的介电性能;用XRD测量了其结构;分别考察了介电常数与晶相含量、测试频率间的关系.结果表明:样品的......
CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷不仅具有高的介电常数,而且高的介电常数在较宽的温度范围内具有高度稳定性,这使得CCTO陶瓷在小型电子器件......