【摘 要】
：
在理论上,该论文采用平面二极管结构研究宽带隙薄膜的场致电子发射,其能带结构可以简化为沿平面法线X的一维形式.在数值模拟中计算了电子的透过率与电子能量的关系.用APCVD和
论文部分内容阅读
在理论上,该论文采用平面二极管结构研究宽带隙薄膜的场致电子发射,其能带结构可以简化为沿平面法线X的一维形式.在数值模拟中计算了电子的透过率与电子能量的关系.用APCVD和MPCVD二种工艺,分别制备出了非晶碳薄膜和SiC薄膜.在自行研制的真空场致发射测试台上完成了薄膜场致发射测试.为了研究用FePc高温分解阵列的阵列碳纳米管薄膜的场致发射和生长机理,该文研究了该薄膜原微观形貌.除去顶部的铁粒子后,碳纳米管具有开口末端,这种碳管开口可以用作火山口场致发射尖端;注意到其它优良的物理化学特性,该薄膜具有在场致发射方面应用的良好前景.
其他文献
该文论述了无线本地环系统中中频调制和解调方案及其实现过程.调制/解调采用了QPSK,完成从基带到射频和从射频到基带的透明传输.由于采用了集成芯片,大大缩小了该部分电路的
该课题从计算机辅助设计(CAD)角度,对离子注入法制作基于碲镉汞材料的n-on-p型红外光伏探测器进行计算机模拟.模拟的机理是认为注入中造成的部分间隙Hg离子被缺陷捕获,在随后
在电子设备的电磁兼容测试中,往往涉及到天线的近场和混合场。在这种情况下,就不能再用远场近似的方法来分析天线。本文运用矩量法和坐标变换,以一个具体的双锥线天线为例,系
铁电场效应晶体管(FFET)是当前非易失性存储器(NVM)领域的研究热点,它不但具有低功耗、读写速度快、高密度、永久性、抗辐射性等优点,而且还可实现非破坏性读出(NDRO),是铁电
该文研究了用作薄介质栅的等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法低温形成的SiON薄膜与其击穿电学特性,探索该薄膜击穿电学特性与微观组分、反应室气压、衬底工作温度等的相互关
该文首先研究了含盖整个线性区和饱和区的各种器件静态参数随应力时间的退化规律,并得到了PMOS器件热载流子损伤生长的基本规律.重点研究了退化PMOS器件的高场退火效应和氧化
众多瞬时受体势(TRP)通道是可以检测环境变化的生物传感器。基于氨基酸序列同源性，被分为7个亚家族。为鉴定TRP调节剂，分析TRP功能，构建稳定表达TRP的细胞系是非常必要的。在本
延长光学系统的焦深在需要有高分辨率的生物识别采集系统、需要大相对孔径的光学遥感器、电视摄像以及显微镜等许多实际应用中有着深远的应用意义。传统的光学系统焦深与相对
薇甘菊主要入侵我国华南的广东、海南和云南三省，给当地造成了严重的危害，其强烈的化感作用被认为是其成功入侵的原因之一。而目前对薇甘菊化感作用的研究还较少，因而对薇甘菊化
自适应天线技术是CDMA系统的研究热点之一,利用自适应天线可以消除多址干扰,提高系统的容量并增大覆盖范围,该文对应用于CDMA系统中的寻向型自适应天线进行了研究,针对传统意