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本文主要研究了一维氧化锌纳米线的制备及其结构、光致发光和电子场发射特性。 作为宽带隙半导体材料,ZnO具有良好的化学稳定性和热稳定性,其优异的发光特性,透明导电特性近年来得到了广泛重视。最近低维纳米氧化锌材料成为国内外研究的热点。 本文首先介绍了近期国内外ZnO纳米线的制备进展情况。本工作采用制备简单,不需催化剂,生长温度较低的纯锌粉热蒸发法在(100)单晶硅和普通玻璃衬底上气相生长出一维纳米结构的氧化锌晶体。扫描电镜(SEM)观察发现在不同温