AlN作为第三代半导体材料的代表,其6.2eV的特宽带隙使其在发光器件的应用方面引起了人们极大的关注。但是,由于制备AlN材料较困难,所需的条件较严苛,因此限制了它的发展。同时,为了提高AlN材料的性能,通常对其掺杂不同的元素,来满足不同方面的需求。本文采用CVD的方法,通过改变实验中的可控参数,获得了AlN最佳的生长条件。同时研究了对AlN掺杂不同的元素时,其形貌和性能的变化。主要的研究内容如下：(1)无水氯化锌为掺杂源制备Zn掺杂AlN样品。与未掺杂样品相比,Zn的合入促进了AlN的表面扩散但却抑制了其纵向生长速度。PL光谱显示,样品在紫外光区展现了很好的发光性能。将样品在高温下进行退火处理,所得PL光谱证明272nm的发光峰与Zn有关。通过改变NH3流量,发现30sccm流量值下,样品具有最高的结晶度和发光强度。同样的条件下,Zn掺杂量的改变影响了与氧相关的缺陷能级,改变了峰之间的相对强度。(2)纳米锌粉为掺杂源制备Zn掺杂AlN样品。生长温度显著的改变了纳米结构的表面形貌和尺寸。Zn的掺杂引入了新的缺陷和杂质能级,在紫外区有效的调节了AlN的发光波长,同时导致峰位和峰的相对强度发生改变。而Si片的放置角度也影响了Zn的掺杂,平行放置更有利于Zn的合入。(3)无水CuCl2为掺杂源制备Cu掺杂AlN样品。样品在可见光波段表现出了良好的发光性能。探讨了生长温度、掺杂量、NH3/Ar流量比对样品的形貌和发光的影响。生长温度和NH3/Ar流量比对Cu的掺入起了重要的作用。当Cu掺杂量比较大时,样品中出现了合金相AlCu,导致晶体中铝空位增多,进而影响了各个发光峰之间的相对强度。