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磁控溅射是一种被广泛用于各种薄膜制备的物理气相沉积技术,它主要涉及粒子的碰撞、分解、激发、电离及其在电磁场中非线性输运等复杂过程,以及输运到衬底的成膜粒子在衬底上的成核、扩散、生长等非平衡过程。本实验采用朗谬尔双探针和光发射谱诊断方法,研究在硅基上生长导电薄膜过程中,各种参数与等离子体环境变化的关系,其主要结果包括:(1)通过双探针的测量,得到了基片附近的电子温度在2~3eV左右,等离子体平均电子密度的数量级为1011cm-3,当气压在范围8~10Pa变化时,电子密度发生突变。(2)利用光