5G通信具有高速传输、低时延和高连接密度等特点,这要求5G设备中广泛使用的覆铜板具有低介电常数、低高频损耗、高导热率、耐热性佳以及高可靠等特性。聚四氟乙烯（PTFE）在高频下具有极低的介电损耗,但导热性较差,热膨胀系数较大,这限制了其广泛的应用。本文采用浸渍上胶工艺,选取高导热陶瓷粉体进行填充改性,研究制备综合性能参数优良的PTFE基高频高导热复合基板。课题研究的主要内容和结果如下:1、高导热填料填充改性研究。首先选择单一Al2O3填料对PTFE基板进行填充改性,研究Al2O3填料含量对PTFE复合基板介电性能和热性能的影响规律。结果表明:随着Al2O3导热填料含量增加,复合基板的热导率和介电常数逐渐增大,而热膨胀系数（CTE）逐渐减小。当氧化铝陶瓷粉体质量分数为40%时,制备的复合基板综合性能最佳:介电常数为3.49,介电损耗为0.0027,吸水率为0.040%,热导率为0.61W/m·K。为了进一步提高复合基板的热导率,在Al2O3/GFs/PTFE复合基板研究基础上,进一步选择Al2O3和h BN复合陶瓷粉料进行PTFE基复合基板改性研究。结果表明:当各组分质量比例Al2O3:h BN:PTFE=20%:20%:60%时,制备的复合基板最高热导率达到1.05 W/m·K（50℃）,为纯PTFE热导率的5.3倍,而介电常数为3.53,介电损耗为0.0022,吸水率为0.054%,密度为2.26g/cm~3。2、PTFE共混改性研究。探究PFA与PTFE的相容性以及PFA用量对Al2O3–h BN/GFs/PTFE复合基板性能的影响。结果表明:PFA与PTFE的共混物具有单一的Tg,两者相容性非常好,可形成均匀相。通过共混可降低复合基板吸水率,提高致密性。实验结果表明:在PTFE中加入6%PFA树脂进行改性,制备的复合基板最佳的综合性能为:介电常数3.55,介电损耗0.0021,吸水率0.042%,剥离强度1.66N/mm,弯曲强度92.9MPa,导热系数1.10 W/m·K。3、热压烧结工艺研究。研究不同热压压力、热压温度、热压保温时间对复合基板的弯曲强度、吸水率和剥离强度的影响。实验获得的最佳复合基板热压烧结工艺条件为:热压压力为6MPa、热压温度为360℃、热压保温时间为2.5h。本文研究制备的高频高导热覆铜板具有低介电常数、低介电损耗、高热导率、低吸水率并且机械性能优良,可应用于5G基站天线、毫米波雷达、微波功率放大器等设备。