发光二极管（Light Emitting Diode，LED）由于拥有高光效、低耗能、长寿命、无毒绿色等优点正逐步成为传统照明市场的主流照明光源，在景观照明、道路照明、室内照明等领域得到愈来愈多的应用。近几年，高压LED（High-Voltage LED）方面研究的兴起，意味着传统小电压LED芯片已经不足以满足人们在产品驱动电路设计上的需求。同时，高压LED芯片，解决了才传统LED芯片多晶封装中存在的可靠性问题，并以其小电流驱动、简洁的驱动电路设计等优点逐渐进入照明应用研发人员的视线。本课题使用目前主流的LED芯片制备工艺和制备技术，对高压LED芯片结构设计进行了基础性的研究。针对高压LED芯片的结构设计当中电极连接桥铺设时，容易出现断桥、漏电等问题优化芯粒间连接桥结构。使用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀机，调整刻蚀参数，在没有BCl3的条件下，刻蚀芯粒隔离槽的同时，将芯粒刻蚀出正梯形结构。正梯形底角平均角度为70.2°，使得铺设电极连接桥时，电极可以沿着芯粒边缘的梯形结构到达隔离槽底部，再从隔离槽底部上升到另一个芯粒的电极上，增强了电极稳定性，有效防止漏电情况的出现，优化生产良率。针对LED芯片侧面内全反射引起的光吸收效应，制备一种带侧面波浪形微结构的高压LED芯片。在不增加制备流程的情况下，制备出相应的高压LED芯片，并进行白光封装以及随机选片光电测试。测试结果表明，灯珠的显色指数封装后测试结果平均值超过82，而最高光效达到101.7lm/W。封装出较高的显色指数会在一定程度上降低出光效率和光输出功率。在改进封装工艺后，光效可以得到一定程度的提高。