【摘 要】
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该论文的内容可分为两大部分:其一是宽带隙半导体材料SiC薄膜的生长;其二是以多孔SiO为基体的掺杂/复合材料的光致发光.在SiC薄膜生长方面,为获得优质单晶薄膜必须解决许多方
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该论文的内容可分为两大部分:其一是宽带隙半导体材料SiC薄膜的生长;其二是以多孔SiO<,2>为基体的掺杂/复合材料的光致发光.在SiC薄膜生长方面,为获得优质单晶薄膜必须解决许多方面的问题.该文分别就SiC/Si界面空洞缺陷的消除和SiC薄膜生长的热化学过程进行了研究:SiO<,2>基复合材料的光致发光在光电器件方面具有非常广泛的应用.该文分别就掺杂SiO<,2>中的本征缺陷发光和纳米AgI-SiO<,2>、ZnO-SiO<,2>等复合体系发光方面进行了研究.
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