二维材料是相当有潜力的纳米电子材料.电子器件的尺寸不断减小要求纳米电子材料不仅要具有像石墨烯一样较高的载流子迁移率，同时还要有较大的带隙.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，系统地研究了多层黑磷材料的几何和电子结构，并预测了其电子和光学性质，发现该材料很好地满足了上述要求[1-5].多层黑磷是直接带隙半导体，其带隙从一层到五层的变化是从 1.51 eV 到 0.59 eV.同时多层黑磷具有很高的载流子迁移率，研究发现其载流子迁移率主要由空穴控制并且具有很强的各向异性，其中单层黑磷有异常表现，不但有达到 10000 cm2V-1s-1 数量级的极高的空穴迁移率，还具有异常的弹性性质，而此异常性质也是使单层黑磷载流子迁移率各向异性发生转变的原因.通过分析多层黑磷材料的光吸收谱发现该材料在垂直平面方向有光的线性二色性，这项性质可以被用来测定多层黑磷的晶体取向并且使材料的各向异性输运性质被更好地利用.这些研究结果表明多层黑磷是一种相当有潜力的电子材料.