金属掺杂宽带半导体光催化剂的光催化性能研究

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本论文阐述了金属掺杂对光催化剂的催化行为的影响。随着光催化技术的发展,光催化剂在使用和研究中,都会有意或无意地涉及到金属离子掺杂的问题。而由于金属离子的多样性,对催化剂的光催化活性也产生了不同的影响。  首先,本论文讨论了涂布在陶瓷基底上的TiO2薄膜的光催化性能失活的问题。由于基底材料的选择和制备工艺条件的使用,发现涂布在陶瓷基底上的TiO2薄膜丧失了它的原有光催化降解甲醛的活性。为了调查引起这一现象的原因,通过XPS、XRD、ESR等现代综合表征手段,发现在TiO2薄膜的制备工艺中,高温烧结会使陶瓷基底中的Al3+、Si4+和Ca2+离子扩散到Ti02薄膜中,它们大部分会以氧化物的形式存在其中,但通过对TiO2与这些氧化物粉体混合物的分别研究中发现,Al3+的存在成为抑制TiO2光催化活性的主要原因。Al3+在高温烧结过程中会进入到锐钛矿相TiO2的晶格当中,造成品格扭曲,使其晶格参数产生改变;另外,由于催化剂体系中电荷平衡的原因,当Al3+进入TiO2晶格取代了Ti4+时,会导致氧空穴的产生。在光催化理论当中,氧空穴被认为是光激发电子和空穴的复合中心,它的存在必然会抑制电子和空穴的分离效率,从而导致光催化剂催化活性的丧失。
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