纳米接触中的磁电阻效应

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由于磁电阻效应在硬盘驱动磁头和磁随机存取存储器等方面的技术应用起着极其重要的作用,因而它是人们研究的热点之一。1999年,弹道磁电阻效应(Ballistic magnetoresistance)的发现激起了人们对亚微米级的铁磁性纳米接触的研究热潮。用机械方法制作的纳米接触的磁电阻效应高达百分之几百,他们将其归因于传导电子在纳米接触中形成的畴壁上的散射。最近,运用电化学方法沉积方法制备的纳米接触也被运用来研究弹道磁电阻效应,用这种方法获得的磁电阻效应比机械方法制作的纳米接触的磁电阻效应还要大,但是用电化学沉积方法制作的纳米接触还存在一些问题,如:重复性差,稳定性差,到目前为止对这些现象还没有给出一个满意的解释。在本文中,我们给出了我们的实验结果并对实验结果作了系统的分析。
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