光电探测器以其体积小、灵敏度高、性能可靠和高速等特性而广泛应用于军事和国民生活中，其中金属-半导体-金属光电探测器（Metal-Semiconductor-Metal Photo Detector，MSM-PD）因具有与场效应晶体管（FET）相兼容的制作工艺，制作工艺简单；具有独特的平面结构使得探测器极易进行光电集成（OEIC）；具有极低面电容，相比同类型其它结构具有高带宽高速等特性，易成大面积器件，更加被广泛应用；特别地，InGaAs材料MSM-PD响应波长范围广，可在常温下高效工作，且具有低暗电流、高响应速度和高灵敏度等许多优良特性。因此，本文对InGaAs MSM-PD展开研究，特别是其高频特性研究。首先本文介绍了国内外近红外波段探测器的研究现状和该类器件的研究意义，再通过与APD、PIN、量子阱等各类探测器进行比较，得出在短波红外探测领域，MSM结构具有独特优势。其次，从InGaAs材料基本特性入手，对其晶体结构进行分析，并对相应能带结构展开讨论。最后，我们在现有实验条件下，对InGaAs MSM-PD展开了以下研究：1.详细阐述MSM器件的基本结构和工作原理，对表征MSM探测器的主要性能参数做出具体解释；对MSM器件的电路等效模型进行分析并给出完整等效模型；2.设计InGaAs MSM-PD的基本结构，并用软件进行模拟；3.采用标准半导体工艺生长外延片，结合先进后工艺技术制作电极，完成对MSM-PD器件的制备与封装；4.搭建实验平台并对器件高频特性和器件响应度进行测试，并对高频特性展开研究。