MSM-PD相关论文
给出了金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD)高频特性的等效电路模型,在此模型基础上编写模拟分析程序,分析了探测器相关器件参数对......
由于金属－半导体－金属光电探测器潜在的优点，用于光通信、高速片到片互连、以及光控受到极大关注，文中介绍这种光探测器及其与放大器单......
通过在ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸收层与金属接触间加入ｐ型ＩｎＧａＡｓ势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了实验研究。......
根据 GaAs 材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了 GaAs MsM光电探测器电极间电子渡越时间与掺杂浓度 N<sub>D</sub>、栅宽......
研究了具有金属－半导体－金属结构的探测器内部电场与其几何尺寸的关系，并求出使探测器内部电场的均匀性，稳定性达到最佳的几何条件。......
本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙......
将具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭ－ＰＤ简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。......
本文给出一个可为开发计算机辅助分析软件采用的完整的MSM-PD电路模型,采用该模型对一个GaAs MSM-PD的直流光电特性模拟分析结果与......
