溶剂热合成技术相关论文
近几年,I2-II-IV-VI4族四元化合物Cu2ZnSnS4（CZTS）,Cu2ZnSnSe4（CZTSe）,Cu2ZnSn(Sx,Se1-x)4,（CZTSSe）薄膜被认为是一种有望替代CIGS薄膜的......
近年来，四唑类化合物由于其有趣的结构以及在医药、农业、成像技术、含能材料等领域的广泛应用而引起了高度的关注[1-3]。为了......
建立了溶剂热合成技术，分别在聚醚和苯的体系中，利用ⅢＡ族卤化物和碱金属的ＶＡ化合物在溶剂的近临界状态下实现直接反应制得１０ｍｍＩｎＰ和３０ｎｍＧａＮ。通过ＵＶ－Ｖｉｓ和ＰＬ光......
在大量的文献调研的基础上,总结了纳米材料的结构,性质,应用及制备方法.阐述了纳米材料的最新进展,如有机先驱物法,模板合成和自组......
铜基化合物薄膜（包括CuInSe2、CuInS2、CuIn1-xGaSe2和Cu2ZnSnS4等）太阳能电池是极具潜力的低成本的薄膜电池。特别是铜锌锡硫（Cu2ZnS......
采用溶剂热合成技术,以氯化铜、硝酸铟和硫脲为反应物,十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为阳离子表面活性剂,草酸为还原剂,无水乙醇为溶剂......
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,简称CZTS)薄膜太阳电池由于具有绿色环保、成本低廉和较高的光电转换效率等优点,已成为太阳能电池研究的热点......
铜铟硫(CuInS2,简称CIS)薄膜为Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ三元化合物半导体材料,其禁带宽度为1.53eV,与太阳能电池材料所需最佳禁带宽度(1.45eV)相接......
