不同晶向YSZ衬底上铁掺氧化铟单晶薄膜的生长和性质研究

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微电子学以研究和控制电子的电荷及其输运特性为主要内容,是现代信息技术的基石。但是在传统微电子学之中,电子只是被当作电荷的载体,它的自旋特性一直未被引起重视。伴随着器件集成度的提高,半导体元件的尺寸已经进入纳米尺度,单位面积的能耗急剧上升,热损伤问题日益严重,严重影响了性能和稳定性。上世纪八十年代末,Fert和Grǖnberg几乎同时发现的巨磁阻抗效应(GMR, Giant Magneto-Resistance)引发了磁存储和磁记录领域的革命,使九十年代计算机的应用获得了腾飞。从此之后,自旋电子学-一
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