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ZnO是一种自激活半导体材料,具有六角纤锌矿晶体结构,室温下直接带隙宽度为3.2 ~ 3.4 eV,激子束缚能高达60 meV。ZnO无毒,原料廉价易得,且具有较高的化学、机械稳定性及优异的光电学特性,有望在光发射二极管(LED)、透明电极、蓝/紫光发射器件、太阳能电池、表面超声波设备等方面产生广泛的应用,因此研究ZnO薄膜的发光特性具有十分重要的意义。然而,未掺杂的ZnO通常包含着各种本征缺陷,例如Zn空位、填隙Zn、O空位、填隙O和反位O,这些本征缺陷很大程度上会影响ZnO薄膜的发光特性。通过引