铋硫氯属于铋硫属半导体化合物,具有较大的塞贝克系数值,以及较低的热导率,在热电领域存在一定的价值。但是,铋硫氯自身的电导率并不理想,通过压制并退火处理的铋硫氯块体的电导率仅为0.13 S/cm（500 K）,导致材料的热电优值不高。要提升铋硫氯的热电性能,需要对材料的电导率进行优化,通过掺杂,包覆,等方式提升材料的电导率。本文通过固相烧结法,简化了实验工艺,并快速制备出高纯度铋硫氯半导体,所制备的铋硫氯材料为宽65 nm,长3μm棒状晶体n型半导体材料。铋硫氯材料在300-700 nm范围内具有相对较高的光吸收系数,带隙值为1.9 e V,具有较高的塞贝克系数,最大值573μV/K（400 K）,较低的热导率0.45Wm^-1K^-1（500 K）,但是具有极高的电阻率,对材料的热电性能造成了极大的影响。最佳热电优值ZT=0.0039（500 K）。通过对铋硫氯的S位进行Se替代掺杂,改变材料的带隙结构,对材料的电导率可以进行较大程度的优化。Se掺杂量为10%的铋硫氯获得的最高ZT=0.078（450 K）。通过对铋硫氯进行Cu元素掺杂,可以有效地降低材料的热导率同时提升材料的电导率,5%掺杂量的铋硫氯具有最高的热电优值,在450 K获得了ZT=0.0972。镍包覆的铋硫氯晶体,表现出极高的电导率,生长180 min的样品在500 K温度下获得了685 S/cm的电导率值,最高热电优值可达0.169。使用固相烧结法制备的Ag Bi SCl₂/Cu Bi SCl₂,并通过等离子放电烧结制备的块体,表现出极高的电导率提升,且因为自身特殊的晶体结构,表现出较低的热导率,并且具备较优异的塞贝克系数。在500 K温度条件下,Ag Bi SCl₂获得22.62 S/cm的电导率值,ZT=0.42329;Cu Bi SCl₂获得29.32S/cm的电导率值,ZT=0.6657。