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自上世纪90年代初S.Iijima发现碳纳米管以来，一维纳米结构材料在基础科学研究和工业技术领域引起了广泛的关注。单根纳米材料的物理性质测量一直是纳米科技中的热点和难点问题。本文通过聚焦离子束技术与传统的光刻技术的结合，成功地实现了在单根纳米线上制作微电极。对SnO2和ZnO纳米线的输运特性进行了测量，同时对样品的结构进行了表征。主要得到如下结论：
1.对通过CVD方法生长的SnO2纳米线进行了形貌和结构表征表明：纳米线的直径在10-150nm之间，大部分的直径在50纳米左右，纳米线形成了树枝状的结构。分别将单根纳米线和纳米线的分叉结构进行结构分析表明，单根的纳米的生长方向是[112]；二分叉的纳米线结的两端的生长方向不是一致的，一端沿着[110]的方向，一端是[010]方向。在结处选区电子衍射表明，结是一种单晶的结构。
2.通过光刻技术和聚焦离子束技术在单根SnO2纳米线上制作微电极，对单根的纳米线的电子输运特性进行了测量。在室温下，纳米线的电阻率在0.020-22.58Ω·cm之间。电阻率与温度的依赖关系表明，在低温下，纳米线的输运机制符合Efros-Shklovskii变程跳跃机制，而不是一般的热激活机制，主要是由于纳米线中电子与电子的相互作用。同时我们在纳米线直径为150纳米时，观察到纳米线的输运机制符合模特的三维变程跳跃机制。在室温下对纳米线结的测量时，观察到了整流效应。
3.通过化学气相沉积的方法生长了ZnO纳米线。在很宽的温度范围：300K-6K，研究了纳米线的直流电导率。在100K-6K的温区，ZnO纳米线的输运机制遵循Efros-Shklovskii变程跳跃，并且在10K零偏压附近出现一个很大的库仑能隙，本文将之归结为沿着纳米线方向的积分效应。
4.通过催化剂辅助，在硅衬底上制备出了氧化硅的新型一维纳米结构：包含空洞的纳米线，以及纳米管、实心纳米线。这些一维纳米结构直径在20-100nm之间。透射电镜分析表明这些纳米线或管为非晶态。能谱和电子能量损失谱分析表明，这种一维纳米结构主要是由Si、O、N组成。纳米管的形成是由纳米线转化而来。