变程跳跃相关论文
以钙钛矿结构氧化物为代表的巨磁电阻材料,由于它们所表现出来的超大磁电阻效应（Colossal Magnetoresistance）在提高磁存储密度及磁......
近年来，以钙钛矿结构氧化物为代表的巨磁电阻材料，由于它们所表现出来的超大磁电阻效应（Colossal Magnetoresistance）在提高磁存储密度......
以钙钛矿结构氧化物为代表的巨磁电阻材料，由于它们所表现出来的超大磁电阻效应（Colossal Magnetoresistance）在提高磁存储密度及磁敏......
通过透射－反射谱、红外光谱表征了类金刚石a—C：H：N薄膜微结构与氨含量的关系。实验结果表明，随N2／Ar气体流速比的增加，在a—C：H：N膜内N－H含......
在７７Ｋ到３００Ｋ的温度范围内测量了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜的电阻率和热电势．通过用变程跳跃（ＶＲＨ）和近邻跳跃（ＮＮＨ）模型的公式拟合实验数据，发现这种材料的电阻率和热电势行......
在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光......
用脉冲激光沉积法在(111)Si衬底上成功制备了高度择优取向的Fe3O4薄膜.电阻-温度关系表明Fe3O4薄膜的Verwey转变(TV)约在122K,低温......
用射频溅射法在硅单晶衬底上沉积出电导率高达６０Ｓ／ｃｍ的ａＳｉＨＹ合金薄膜。在２０～３００Ｋ，对于钇含量高的样品，其电导仍是热激活的。ｌｇσ与１／Ｔ的关系曲线能够被拟合......
采用脉冲激光沉积法(PLD),以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO2薄膜并研究了薄膜样品的光电性质.沉积氧气分气压从0.3Pa变化到0.7Pa......
本文提出在MOSFET构成的2DEG带尾区域,复值电容可用三个模型予以描述.一维扩散模型(IDD),迁移率边模型(ME)和复数电导率模型(σ(ω......
在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温......
本文对非化学计量的多晶SrFe1-xMnxO3-δ样品的结构和电输运性能作了系统的分析，并对可精确地确定氧含量的碘滴定法进行了详......
自上世纪90年代初S.Iijima发现碳纳米管以来，一维纳米结构材料在基础科学研究和工业技术领域引起了广泛的关注。单根纳米材料的物理......
用固相烧结的方法成功制备了层状钙钛矿锰氧化物La1.2Sr1.8Cu0.04Mn1.96O7多晶样品. 研究发现, 在层状钙钛矿La1.2Sr1.8Mn2O7 中, ......
用固相反应法制备了La0.5-xPrxBa0.5CoO3系列化合物,系统研究了Pr不同含量时材料的磁性和电输运特性.结果表明:Pr掺杂没有改变Co的......
通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性，发现其电阻具有ＶＲＨ电导特性，认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维发域作用导致局域态的波函数......
我们测量了一组3个导电聚吡咯薄膜的电阻、热电势率随温度变化关系曲线,研究了它们的导电机制,利用 Mott 变程跳跃模型较好地解释......
研究了Nd2-xSrxNiO4多晶的输运性质.0< x0.5样品低温下的电阻率很好地满足变程跳跃公式,0.8x1.1样品在室温以上呈现金属性行为......
利用溶胶-凝胶工艺在SrTiO3单晶衬底上制备了一系列不同厚度的La0.7Ca0.3MnO3薄膜.X射线衍射表明这些薄膜均具有高度的择优取向性......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor, OTFT)因其成本低廉、可弯曲折叠、能大面积集成等优点,吸引了国内外研究机构和大......
