氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体，室温下的带隙为3.37eV，激子束缚能高达60meV，远大于室温下的热离化能，因而是一种更适合于室温或更高温度下的紫外发光材料。但块体氧化锌的发光容易随温度升高而发生淬灭。半导体纳米结构(包括薄膜)具有量子尺寸效应，可以有效提高半导体的发光效率。目前，纳米结构氧化锌的主要制备方法是气相法，但这种方法设备昂贵，制备条件苛刻，而且产率较低。　　 因此，探索简单可靠的生长方法、制备品质优良的氧化锌纳米结构，揭示其生长机理，并对其进行系统的物理性质研究，对于组装高性能的氧化锌光电器件有重要的科学和现实意义。本文基于上述目的，开展了氧化锌半导体纳米结构的软化学法制备和相关物性方面的研究工作，主要研究内容与结果如下：　　 1.发展了化学沉淀法，获得了高晶体质量、具有强室温紫外发光性能的单晶氧化锌纳米片，实现了低成本、高产量、环境友好的合成目标；　　 2.实现了氧化锌薄膜形态和荧光性质在电沉积过程中的人为调控，揭示了室温氧化锌紫外和可见发光的复合过程；　　 3.提出了纳米线阵列的无模板法电化学合成策略，并成功实现了不同形貌氧化锌纳米线阵列的大面积合成；　　 4.提出了基于单层胶体晶体的模板电沉积策略，获得了具有室温强紫外荧光发射的大尺度氧化锌有序孔阵列体系；　　 5.发现了氧化锌紫色和绿色发光峰的反常移动行为，提出了带隙收缩—缺陷能级局域化和辐射复合—非辐射驰豫两种竞争机制，分别揭示了各荧光峰的电子跃迁行为；　　 6.研究了不同形貌氧化锌纳米结构的场发射性能，证明了其场发射过程的Fowler-Nordheim机制，阐明了获得理想场发射性能的条件。