本文在有效场理论和切断近似的框架内,首先研究了三模外场和晶场共同作用下单自旋横场Ising模型的临界性质,在T ? h空间中横场和三模外场参数的变化对三临界点,二级相变以及基态时外场简并均有很大的影响,横场与合适的三模外场参数能有效地抑制三临界点,但较大的负晶场和合适的三模外场参数导致体系又产生三临界点; T ? D空间中较大的三模外场及合适的三模外场参数能有效抑制三临界点,并且三模外场参数较小时有重入相变发生。其次,研究了二模外场和晶场作用的单自旋横场Ising模型的临界性质,其相图表现出新的特征, T ? D空间在较大外场和较小外场两个范围都会存在三临界点。T ? h空间中,较大的负晶场和较小的负晶场都能产生三临界点,横场的增大将抑制三临界点,在较大负晶场存在时二级相变线呈现类似蘑菇形或拱形曲线。最后,讨论了二模外场和晶场作用的混合自旋横场Ising模型的磁化行为,在M ? T空间,合适的负晶场取值可以使得系统出现单或双温度补偿点,横场较小时系统的双温度补偿点被抑制,出现温度补偿点的负晶场范围变小,横场较大时M ? T空间不存在补偿行为,磁化值随负晶场的增加而趋于零。在M ? h空间,二模外场的引入使得系统出现双磁场补偿点。与M ? T空间类似,随着横场的增加体系出现磁场补偿点的负晶场范围变小,当横场足够大的时候,无论负晶场如何取值系统都不会出现补偿现象。