横场Ising模型相关论文
上世纪80年代,人们将量子力学的理论引入到信息科学和计算科学,形成了一门新兴的交叉学科:量子信息学。在量子信息学中,将微观系统......
根据关联有效场理论，采用微分算子方法对具有单表面层、双表面层的铁电薄膜的相变性质分别进行了研究。利用推导得出的两个可用于研......
基于横场Ising模型,利用费米型格林函数的通常退耦合近似(MFA)和高阶退耦合近似,研究了自旋为1/2的正方晶格纳米岛的相变性质.极化......
基于横场Ising模型,利用费米型格林函数的通常退耦合近似(MFA)得到了赝自旋极化强度的x分量与z分量方程组,研究了自旋为1/2的正方......
我们使用神经网络量子态表示一维与二维横场Ising模型的波函数,这样的波函数相当于一种从自旋位形空间到由网络参数序列决定的复数......
近年来，随着实验技术的快速发展，设计和制造量子器件已成为可能。器件对量子态的操控要求量子系统具有高的相干性及较长的退相干时间......
采用平均场理论下的横场Ising模型，得到同时考虑Ω≠Ω，J≠J情况下超薄铁电膜的居里温度表达式．利用所得出的居里温度表达式，分别计算......
采用平均场理论下的横场Ising模型，得到同时考虑Ωs≠Ω，Js≠J情况下超薄铁电膜的居里温度表达式。利用所得出的居里温度表达式，分别......
采用平均场理论下的横场 Ｉｓｉｎｇ模型，得到同时考虑Ωｓ≠Ω，Ｊｓ≠Ｊ情况下超薄铁电膜的居里温度表达式，进一步研究除发现存在临界表面层隧穿频率．Ωｓｃ......
在有效场理论和切断近似的框架内,研究三模外场和晶场作用自旋S=1横场Ising模型的临界性质,在T-h空间中横场和三模外场参数的变化......
