拉曼光谱是一种有效的、无损的探测材料和材料缺陷的方法。本文首先利用空间群理论及“大区域及区域折叠”的方法计算了6H-SiC的晶格振动模式。基于理论计算的结果，检测和分析了中子辐照6H-SiC晶体及其退火后拉曼光谱的变化，鉴别其辐照损伤的程度及随退火温度结晶度的回复过程；我们也利用UV-可见吸收光谱和X射线衍射手段来对中子辐照产生的损伤及其退火回复规律进行了广泛深入的研究。研究结果如下：1、分析了中子辐照损伤及其退火回复的拉曼光谱特性：研究了剂量为1.67×1019n/cm~2和1.72×1020n/cm~2的中子辐照n型6H-SiC造成的损伤程度，发现损伤水平随剂量的增加而增大，在其晶体内部可能有局部非晶区域的产生。而1.72×1020n/cm~2的高剂量辐照在其晶体内部产生了石墨簇。辐照引起的纵光学支LO及横光学支TO不同程度的下移及其线型的变化主要是由于声子限制效应引起的；由其退火回复规律的演变可知，辐照导致LO-TO频率分裂发生轻微降低的主要缺陷类型可能归于孤立的空位和间隙缺陷。2、分析了辐照及其退火回复引起的光吸收特性：辐照引起的吸收谱线的红移及吸收系数的增加与禁带附近引入的局域缺陷态有关。由其退火行为可知，辐照产生的不同类型的复杂缺陷簇引起的光散射导致了带边出现波动起伏的强烈吸收。另外，吸收随退火回复的演变在800℃之前保持不变，而800℃之后开始逐渐降低的回复趋势与辐照产生的不同类型缺陷的回复有关。3、结合X射线衍射分析了辐照及辐照后经退火引起的晶格有序度变化：辐照导致晶格有序度降低，半高宽增大；随退火温度增加，有序度又逐渐恢复，半高宽呈现规律性的回复，根据这种规律性在实际中可发展一种新型的测温方法。由以上三种手段对中子辐照6H-SiC的退火回复特性的实验研究，表明退火温度800℃左右为其辐照缺陷转变及复合的一个重要的温度点，在800℃之前的回复可能主要是近距离的弗伦克尔缺陷及间隙子移动引起的回复；在800℃之后的回复主要是归于辐照产生的非晶区域的再结晶、空位移动及复杂缺陷簇的分解等引起的缺陷复合湮灭；经1600℃退火后，辐照产生的缺陷已基本回复。