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以非晶相Si02、方石英相、石英相三种不同的Si02为无机填充物,采用热压法制备了聚丙烯(PP)/SiO2复合材料,并对其形貌、密度、热膨胀性能和微波介电性能进行了研究。当Si02的体积分数由0增至0.6时,对于三种复合材料体系而言,其致密度下降,热膨胀系数降低,介电常数和介电损耗增加,谐振频率温度系数降低。PP/方石英及PP/石英的综合性能明显优于PP/非晶Si02复合材料,这是由于非晶Si02原料粉末中存在含有大量气孔的纳米团聚粒子,使得以非晶相Si02为填充物的复合材料致密度较低。当方石英或石英的体积分数为0.5时,复合材料得到了较好的综合性能,分别为：相对介电常数εr=2.85,介电损耗tan δ=0.0024(15GHZ下),谐振频率温度系数τf=16ppm/℃,热膨胀系数CTE=75ppm/℃及εr=3.11,tan δ=0.0026(15GHz下),Tf=19ppm/℃, CTE=96ppm/℃。将气孔作为额外的相考虑,对传统的复合材料介电常数模型进行了改进,改进的并联模型得到的理论值与实验值吻合较好。通过热压法制备得到以改性BaTiO3填充PVDF的高分子基介电复合材料,并对其性能进行了表征。实验结果表明,复合材料体系的致密度随着改性BaTiO3体积分数的增大而下降。在1kHz下,各成分材料的介电常数在室温附近有较好的温度稳定性,且介电常数随着改性BaTiO3体积分数的增大而增大,但在体积分数为0.6时反而下降。在复合材料体系的介电损耗温谱上,有两个损耗峰。经过分析可知,低温下的介电损耗峰为PVDF的β转变峰,存在介电弛豫现象,符合Vogel-Fulcher公式；而高温下的介电损耗峰,随着BTO体积分数的增大,介电弛豫现象变得越来越不明显。对于体积分数小于0.4的复合材料的介电弛豫与Arrhenius公式符合较好。