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近些年来，随着人们对基于电子自旋的物理现象理解的深入和它所可能带来的巨大的应用前景，自旋电子学(Spintronics)成为一个快速发展的研究领域。稀磁半导体(DilutedMagneticSemiconductor,DMS)作为一种重要的自旋电子学材料而吸引了人们广泛地重视。稀磁半导体是在传统半导体的基础上增加了自旋极化这个自由度，所以它可能产生全新概念的电子器件。通常是通过往半导体材料中掺入3d过渡金属元素来制备稀磁半导体的。具有实用性的稀磁半导体必须在室温下仍具有铁磁性。也就是说，它的居里温度(Tc)要超过室温。
我们用磁控溅射的方法制备了Mn0.05Si0.95薄膜。电子衍射和X光衍射(XRD)表明只有晶体Si的单相，意味着Mn0.05Si0.95薄膜晶化了。我们用SQUID测量了Mn0.05Si0.95薄膜的磁学性质，发现在320K是有明显的铁磁性。它的居里温度超过了400K。
我们还用溶胶—凝胶法成功地制备了Zn0.98Fe0.02O块材。通过X光衍射，分析了它的结构特征，发现Fe离子取代了Zn离子的位置。各个衍射峰都属于纯的ZnO的纤维锌矿结构的峰。用VSM测量了Zn0.98Fe0.02O块材的磁学性质，在320K的时候能清楚地观察到铁磁性。Zn0.98Fe0.02O块材的居里温度高于320K。
以上这两项工作的成功，对于制备和研究其他稀磁半导体具有重要的指导价值。