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本文采用传统固态反应的烧结方法研究了Nb2O5-TiO2和Nb2O5-Ta2O5体系介电陶瓷的制备工艺，分析了上述不同掺杂对Nb2O5基陶瓷介电性能的影响，并通过X射线衍射和电子扫描电镜等手段研究了各组分样品的晶体学形态和微观形貌，另外，本文还研究了各组分陶瓷的介电性能对频率和温度的依赖性，本文同时对Nb2O5-TiO2和Nb2O5-Ta2O5介电性能的各向异性进行了初步研究。
本课题的研究，将对新型电介质存储材料的研究开发和应用提供实验依据，对下一代DRAM的研制具有指导意义，并将对社会的经济建设产生积极的作用。