电介质膜相关论文
光在受抑全内反射过程中Goos-H(a)nchen(GH)位移会由于光在第三个区域中的耦合输出而减小.而在镀有电介质膜的受抑全反射结构中,由......
据日本《电子材料》1995年第2期报道，三菱电机公司开发的单片集成放大器，在90GHz下达到世界先进水平：噪声系数3．4dB，增益8．7dB。该产品的......
研究了温度从１００～４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现；在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧......
麻省理工学院研究人员已发现一类电介质膜层 ,可在很宽角度范围里反射很宽范围的波长。J.D.Joannopoulos教授与他的同事在研究光子......
虽然电容器级钽中添加微量的掺杂元素如P、B、S等,可以抑制表面扩散,防上烧结时粉末表面积出现的有关损耗,从可增加单位重量的电容......
一、前言众所周知,测量薄膜折射率通常都是在空气中进行的,一般所说的薄膜折射率也是指薄膜在空气中的折射率。我们知道绝大多数......
本文介绍了在真空中用电子束蒸发法把A1、SiO_2和TiO_2淀积到不加热的基片上而得到高反射镜的一种方法,并指出此膜层镀制简便、机......
本文针对建筑玻璃镀膜的要求，设计出了三类简单膜系结构，即单层金属膜、电介质／金属二层膜和电介质／金属／电介质三层对称膜，给出了它们的......
论述了等离子体氮化对SiO_2薄膜中电子陷阱的影响。提出了一种计算电子陷阱能级和陷阱密度的温度修正。实验结果表明:SiO_2薄膜经......
光在受抑全内反射过程中Goos-H(a)nchen(GH)位移会由于光在第三个区域中的耦合输出而减小.而在镀有电介质膜的受抑全反射结构中,由......
该文应用热氧化技术制备了Ｂｉ＃-[2]Ｏ＃-[3]电介质膜。研究了膜氧化厚度生长规律，讨论了其热氧化机制，发现低温氧化时，以氧分子和电子扩散氧化......
为透明和半透明材料、厚薄膜测量设计的薄膜厚度测量装置性能好于类似的 CCD系统。光谱国际公司的薄膜厚度测量装置能测量比类似 C......
铝电解电容器由于其容量大、工作电压高、性价比高等特点，广泛地应用于各电子整机系统中。高比容铝电极箔制备技术是实现铝电解电容......
CO2激光应用技术和范围的推广，研究高性能传输材料是亟待解决的问题。本文基于空芯光纤国内外研究现状和差距、传输CO2激光空芯光纤......
高度有序的多孔阳极氧化铝(Porous Anodic Alumina,PAA)模板被广泛用于各种纳米功能材料的制备中,但通孔PAA模板的快速制备仍是一......
本文采用传统固态反应的烧结方法研究了Nb2O5-TiO2和Nb2O5-Ta2O5体系介电陶瓷的制备工艺，分析了上述不同掺杂对Nb2O5基陶瓷介电性能......
如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜(介质膜的另一侧为折射率更低的介质,如空气),并且恰当选择基底内光......
本文论述了在高真空条件下(P【2×10<sup>-3</sup>Pa)制备的电介质膜、高反射金属膜、吸收材料的半透明膜.讨论了产生高透射率......
<正> 由于用真空蒸镀法和热蒸发或电子法沉积的金属膜易碎,并且膜表面微型结构呈柱状,而柱状结构之间有间隙,因此易吸湿和被气体和......
日本物质材料研究所开发了能任意控制氧化物纳米晶结构和特性的新技术，制作成功厚度1nm的高电介质膜。较比传统高电介质膜的厚度减......
论述了等离子体氮化对SiO_2薄膜中电子陷阱的影响。提出了一种计算电子陷阱能级和陷阱密度的温度修正。实验结果表明:SiO_2薄膜经......
如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜(介质膜的另一侧为折射率更低的介质,如空气),并且恰当选择基底内光......
太赫兹（THz）电磁波在超快过程探测、材料表征、环境检测、物体成像、医疗诊断、高速光电子器件、宽带移动通信等领域具有广阔的应用......
