随着半导体产业的飞速发展,各种功能电路集成度迅速提高,对功能模块和元器件小型化的需要日益增多。在无源器件领域,集成无源器件(Integrated Passive Devices, IPD)成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案。同时,随着系统级封装及TSV(Through Silicon Via)技术的日益成熟,将无源器件集成于2.5D封装已经成为一种高密度小型化的有效解决方案。将无源器件集成到转接板上,再通过转接板上的互连结构与功能芯片相连,可以有效地实现高集成度的系统级封装。在解决信号完整性与电源完整性问题的同时,尽可能少地引入其它干扰。本文通过对硅基电容、电感电学模型的提取与仿真,综合分析比较了衬底损耗和金属损耗等对电容电感特性的影响,并提出了相应的优化结构。接下来,在对单个无源器件研究的基础上,设计并制作了一款硅基集成无源带通滤波器。根据构成滤波器的电容电感元件的物理结构模型和等效电路模型,结合有限元分析方法以及数值分析方法,基于三维全波电磁场仿真软件HFSS以及电路级分析软件ADS,分别对滤波器进行仿真。在此,本文提出了三种滤波器的仿真方法：电路级仿真、三维全波电磁场仿真和三维全波电磁场与电路级联合仿真的方法,综合比较了各仿真方法的异同及应用范围。最后,根据上述三种不同形式的仿真结果,提出了滤波器的优化方案。根据上述的设计仿真及优化结果,完成了滤波器的加工和测试,器件性能测试结果表明实验结果和仿真曲线可以较好地吻合。另外,本文还提出应用于2.5D转接板中,结合TSV互连结构的新型无源器件集成方式,并对该新型结构进行仿真,完成了整个集成无源器件在2.5D封装中的损耗特性评估。