集成无源器件相关论文
文中设计并实际开发了一种基于砷化镓（Gallium Arsenide， GaAs）集成无源器件（Integrated Passive Device， IPD）技术的小型化高选择性宽带......
本文采用硅基MEMS工艺,设计并研制了基于硅通孔的IPD螺旋电感、MIM电容、薄膜电阻,设计和测试结果吻合程度较高,其中电感感值、电......
集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)具有高集成度、高精度、高可靠性的优势,在射频微波领域极具应用前景,但薄膜多层电......
为解决反射信号损害系统性能的问题,提出了一种具有高带外抑制和高带外吸收的小型化吸收式低通滤波器.该滤波器通过高通通路和低通......
在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节.蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由......
针对目前通信设备及系统对低功耗、小型化的高性能器件的需求,提出采用IPD工艺并通过微带线形式的多节阻抗变换器代替传统威尔金森......
针对传统低通滤波器尺寸小、阻带范围小的问题,在砷化镓(GaAs)衬底上采用集成无源器件(IPD)工艺设计了一款宽阻带低通滤波器。在切......
无线通信技术的发展,对系统的集成度和操作性能提出了更高的要求,一些先进的封装技术应运而生。在过去几年中,异质三维集成封装技......
随着5G通信的不断发展,对于射频电路的要求也随之变高,而滤波器性能的好坏直接决定了射频电路质量的优良。无反射滤波器可以将阻带......
随着第五代移动通信技术的迅速发展,对器件的尺寸和性能要求越来越高,而滤波器在通信系统中演着十分重要的角色,常常被用于锁相环......
本文设计了一款基于0.25um砷化镓无源集成器件IPD工艺的毫米波功率分配器。功分器由两段四分之一波长微带线以及一个隔离电阻组成......
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基于砷化镓集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺,采用7阶契比雪夫响应的LC结构,设计并实现了一款性能优良的低通滤波......
展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用......
期刊
基于集成无源器件(IPD)工艺提出了一款三阶无反射低通滤波器,特点是能吸收阻带信号,避免滤波器反射信号与系统中其他组件发生有害......
基于砷化镓集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺,研制出了一款性能优良的K波段发夹型带通滤波器芯片,测试结果表明:......
<正>简介集成无源器件在我们的行业中并不是什么新事物——它们由来已久且众所周知。关键在于,当芯片组将独立的分立无源器件或者......
系统级封装是实现电子产品小型化和多功能的重要技术路线,在微电子集成封装领域具有广阔的应用前景。以实际的变频单元Si P集成设......
通信技术与消费电子产品的迅猛发展,使得小型化系统级集成的需求愈加迫切,其中最主要的问题之一是无源器件的集成,有时无源器件甚......
介绍一种具备深背部通孔特点的砷化镓无源器件制作的芯片滤波器,并对其射频特性进行了进一步的讨论。在背部通孔深度达到200μm且......
随着半导体产业的飞速发展,各种功能电路集成度迅速提高,对功能模块和元器件小型化的需要日益增多。在无源器件领域,集成无源器件(......
集成无源器件(IPD)和穿硅通孔(TSV)技术是目前封装发展的一大趋势。为了实现高性能集成无源器件和硅转接板集成的目的,本文采取了......
提出了一种应用于第五代移动通信(5G)的四阶开口环谐振器耦合的带通滤波器。它可以在5G(37~42.5 GHz)频段上运行。滤波器的设计基......
无源器件作为系统集成中的关键器件,随着系统级封装等技术的发展,硅基集成无源器件(Integrated Passive Devices, IPD)新技术受到......
针对目前通信设备及系统对低功耗、小型化的高性能器件的需求,提出采用IPD工艺并通过微带线形式的多节阻抗变换器代替传统威尔金森......
