目的：　　利用H2O2发泡及控制烧结温度合成具有不同微结构的TCP陶瓷材料并且探讨不同微结构TCP材料对Wnt非经典信号通路中相关标志物表达水平的影响。　　方法：　　1、配制磷酸三钙浆料并通过双氧水发泡完成素胚制作，将经模具成型的素坯置于1080℃和1000℃下烧结成瓷，获得不同微结构的TCP材料并用Co60消毒。　　2、XRD实验验证制备成型的陶瓷材料块的化学成分　　3、SEM扫描确定制备材料的表面形貌及颗粒大小。　　4、压汞实验测定材料的内部结构，包括孔径大小、孔隙率、迂曲度等。　　5、MG63细胞与不同微结构的 TCP材料共培养，并以培养板为空白对照，利用q-PCR技术检测各组在共培养3、5、7天后Wnt5a、Wnt11、ROR2、FZD1、DKK1表达水平。　　结果：　　1、XRD检测结果：实验中制备的三组可植入陶瓷材料的化学成分为β-TCP（图3-1）。　　2、SEM实验：扫描电镜下观察 TCP-compact表面孔隙较小，数目少；TCP-middle和TCP-big表面粗糙，可见明显的沟壑形态（图3-2）。　　3、MIP实验：TCP-compact的孔隙率约34.11±1.04%，孔隙大小约0.96±0.04μm；TCP-middle的孔隙率与TCP-big相差不大，但是孔径大小有差别意义，分别为6.51±0.30μm、10.41±0.67μm。（表3-3）。　　4、Wnt5a的表达：具有微孔结构材料中Wnt5a表达水平显著上升（P＜0.05），微孔孔径较大的材料中表达水平最高；在共培养的后期材料组与对照组没有差异（P＞0.05）。　　5、Wnt11的表达：TCP-middle组与Control组相比，Wnt11的表达处于低水平（ P＜0.05），后期这种低水平的表达状态有所缓解但仍低于对照组；TCP-middle组虽初期处于抑制，然而后期也表现出轻度促进；TCP-big则表现较早的摆脱抑制状态，在第5天即表现为促进；同时不同时间点也可观察到材料组之间的表达水平是有差异的（P＜0.05）。　　6、ROR2的表达：TCP-compact与Control组比较呈现低水平ROR2表达（P＜0.05）；具有微孔结构材料则表现为初期即有差异但不明显，第5天时则明显增加（P＜0.05），并且与TCP-big共培养的细胞在促进ROR2表达时更具有效果（P＜0.05）。　　7、FZD1的表达：初始时FZD1在TCP材料中相对Control组表达量较低；第5天时具有微孔结构的材料则表达量增加（P＜0.05）,并且孔径较大的微孔材料对FZD1的表达具有更积极意义。　　8、DKK1的表达：材料组中DKK1表达与Control比较表现为具有微结构表面的材料促进而TCP-compact抑制；TCP-middle在早期明显促进DKK1表达，随时间这种影响减弱并且幅度较大；TCP-big组的表现与 TCP-middle组类似，但是区别在于变化幅度较小。共培养第7天，材料组表达无明显差异（P＞0.05）。　　结论：　　通过H2O2发泡及控制烧结温度制备出具有不同微结构的TCP材料，进一步研究证实不同微结构的TCP材料与MG63细胞共培养显示材料影响Wnt非经典信号通路的表达水平，其相关标志蛋白表达水平的差异为材料微孔结构所调控，在一定范围内材料孔径越大 Wnt非经典信号通路则被明显促进。具有微孔结构的TCP材料可以通过促进Wnt非经典信号通路的表达进而启动骨诱导的发生。