本文采取密度泛函理论（DFT）和非平衡格林函数（NEGF）方法研究两个系列改性MoS₂纳米管的电子结构及输运性质:第一部分探讨S空位效应对（8,8）扶手椅型MoS₂NT的电子结构及输运特性的影响。通过优化结构的总能大小优选出5种相对稳定的缺陷体系,研究发现空位更倾向于定位在内层。电子结构的计算表明不同位置的硫空位对能带结构的影响明显不同。外层硫空位既是供体也为受体,而内层硫空位行为只有受体状态。引入空位有双重作用:一是带隙降低并且有额外的电子或空穴参与输运,对体系的导电性起到了促进的作用;此外,局域硫空位状态会发生散射效应以及陷阱效应,对体系的导电性起到了抑制的作用。综合两个硫空位因素对电子输运性质影响发现,纳米管引入空位,导电性增强;外层硫空位更加利于增加导电性,原因为更多的注入了电子供体和受体状态。此外,高数量的硫空位似乎不利于提高导电性,这可能是由于强劲的空穴陷阱效应。第二部分将（FeCpVCp）n封装入MoS₂NT形成（FeCpVCp）n@MoS₂NT复合新型纳米材料,进而对其电子结构及输运性质进行探索。研究表明在MoS₂NT引入（FeCpVCp）n纳米线形成的体系更加稳定,导电性得到提高,磁性也会伴随着封装引入,并且铁磁性的（FeCpVCp）n@MoS₂NT具有相对较高的热稳定性。与此同时,（FeCpVCp）n@MoS₂NT复合体系的输运性质研究结果与电子结构保持一致,（FeCpVCp）n纳米线在体系电子的输运过程中起主要作用,另外,与纳米线的主导作用相比,壳层MoS₂纳米管在电子输运过程中也起到了较小的作用。（FeCpVCp）n@MoS₂NT复合体系的导电性取决于自旋轨道,自旋向下轨道对体系导电性的提高程度较自旋向上轨道要大。由此我们可以得出结论:在MoS₂NT封装（FeCpVCp）n后能够有效地提高原体系的导电性,并在体系的输运性质中起主导作用,对新型功能材料研究领域具有重大意义。