微半球谐振陀螺仪是测量转速或旋转角度的微型设备,是传统陀螺的微型化设计,不仅继承了传统陀螺仪的优点,还具有体积小,功耗低,可量产,精度高的特点,在消费电子产品上应用广泛。本文研究的微半球谐振陀螺仪结合陀螺仪的阻尼分析以及加工误差分析来确定结构参数。利用MEMS工艺将微半球谐振子与SOI电极盖帽分开制备,然后在真空环境中完成键合组装。结合现有工艺以及设备设计加工工艺流程,并在制作的过程中对流程设计以及加工参数工艺不断优化,旨在加工出高Q值的微半球谐振陀螺仪。（1）根据半球谐振子的制备方法:脱模法、玻璃吹制法、喷灯法为依据,对国内外微半球谐振陀螺仪的研究进展进行阐述,包括样机的谐振子材料、尺寸、以及对应的品质因数Q值等,通过对它们的比对分析来引出本文的研究内容与意义。（2）利用传统半球谐振陀螺仪的工作原理来对本文的工作原理展开分析,并对基希霍夫半球谐振子模型和环形谐振子建模依据以及模型相关性进行阐述,推导出其动力学方程及进动因子,并对微半球谐振陀螺仪的电极分布以及角速度检测理论进行分析。（3）阐述微半球谐振陀螺仪的品质因数以及能量耗散,利用COMSOL Multiphysics仿真软件,使用PML技术进行建模分析微半球谐振子的材料、结构参数等对支撑阻尼以及热弹性阻尼的影响。然后对微半球谐振子一些主要的加工误差进行仿真分析,得出误差引入对谐振频率以及频率裂解的影响。（4）结合MEMS工艺设计微半球谐振陀螺仪的加工流程,加工重点在多晶硅微半球谐振子的沉积与释放,通过对既定的刻蚀装置及刻蚀环境下的湿法HNA刻蚀速度进行实验测试,得到准确的刻蚀时间,制作出微半球壳模子,并对对准标记进行保护;对比牺牲层氧化物湿氧氧化和干法氧化的二氧化硅生长速度,选择合适的氧化层沉积方式;对深坑喷胶参数进行多组实验分析对比,得到较好的喷胶参数,解决深坑喷胶问题;对SPR220光刻胶的深坑曝光参数、显影时间等,以及支撑环开口的均匀性展开研究;结合阻尼仿真分析结果与加工工艺,选择沉积多晶硅来制作球壳,然后掺杂退火;实现了光滑对称球壳的释放,支撑柱的释放,SOI盖帽电极槽以及背面电极柱和密封墙的深硅刻蚀制作,并设计了Au-Sn真空密封封装工艺。