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本文采用粉末冶金法，通过SiC颗粒表面处理和成形参数和热处理工艺控制基体组织和界面结合，制备SiCp/6066A1复合材料。使用金相显微镜(OM)、X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)及高分辨电镜(HREM)等仪器和选区电子衍射(SAED)、能量散射谱(EDS)、拉伸试验、和动态机械分析(DMA)等方法系统研究SiCp/6066A1复合材料微观结构、性能特点和机理；实验结合理论模型研究SiCp/6066A1复合材料热处理规律、变形行为、阻尼机制和界面特征对性能的影响规律。研究工作及主要结果有以下：
(1)首次综合采用氧化酸洗+碱洗工艺对SiC颗粒进行表面处理与优化成型温度相结合，探求有利于提高复合材料界面结合的工艺方案和机理，并获得成型参数搭配影响复合材料力学性能的新规律，确立了SiCP/6066Al复合材料的表面处理、成型参数和界面控制的工艺技术，并制备出综合性能高的SiCp/6066Al复合材料(①10％SiCp/6066Al：σ0.2～387 MPa,σb～484 MPa.，δ5～7.2％，E～88.6 GPa；②12％SiCp/6066A1:σ0.2～425MPa,σb～524MPa.，δ5～6.5％，E～92.7GPa；③15％SiCp/6066A1：σ0.2～461MPa,σb～537MPa.，δ5～5.5％，E～96.8 GPa。)
(2)设计四因素多水平试验并建立了数理统计模型，分析热处理的微观机制，探明了热处理工艺参数影响SiCp/6066Al复合材料强度性能的规律，并得到合理的热处理工艺参数(10％SiCp/6066A1： 535℃/90 min固溶，室温水淬，170℃/7h时效；12％SiCp/6066Al:530℃/90 min固溶，室温水淬，170℃/6h时效；15％SiCP/6066Al:525℃/90 min固溶，室温水淬，170℃/5h时效。
(3)微结构分析发现实验制备的SiCP/6066Al复合材料基体中分布有颗粒状的弥散相(Fe,Mn,Cu)3Si2Al15(bcc结构，晶格常数a=1.28 nm，尺寸100-500 nm)并对位错运动有钉扎作用。探明了SiC颗粒原态及表面处理后SiCp/6066Al复合材料中界面的结构和结合形式，确立了控制良好SiC/Al界面结合的工艺方案。通过修正等效介质模型，研究显微组织变化对SiCp/6066Al复合材料变形行为的影响及机理，探明了SiCp/6066A1复合材料的强化机制与断裂模式。
(4)通过动态试验检测和数学模型，证实SiCp/6066Al复合材料低温内耗以位错阻尼为主，高温以界面阻尼和晶界阻尼为主，三者间的相互叠加构成复合材料整个内耗行为；对应于内耗平台出现的温度范围，动态模量出现快速的下降，驰豫是一个多步的过程；证实了SiCp/6066A1复合材料内耗对温度和频率的依赖关系和内耗峰的物理形成机制。12％SiCp/6066A1复合材料中位错内耗激活能约为1.2 eV，晶界内耗激活能约为1.57 eV；其阻尼能力达到10-2量级并且能在高温(<400℃)时保持较高的模量。
(5)修正并建立含界面特征(不同界面厚度和“界面结合强度”)的等效体模型，理论结合实验研究不同SiC/A1界面特征对SiCP/A1复合材料性能的影响程度，确立了SiCp/A1复合材料性能(弹性模量、界面阻尼和屈服强度)对SiC/A1界面特征的依赖规律，形成生产实验中控制界面的科学理论根据。
SiC颗粒表面状态和成型参数对SiCp/A1复合材料性能和界面结构的影响规律、SiCp/A1复合材料热处理规律、微结构尤其是界面特征影响复合材料性能的规律研究，为SiCp/Al复合材料工业化生产提供了理论指导和技术支持，并推动SiCp/Al复合材料基础性问题的理论研究。