基于可满足性模理论的CMOL电路单元映射研究

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由于集成电路特征尺寸的不断缩小,当前的硅基微电子技术面临着一系列难以克服的挑战,如生产成本剧增、量子效应日益严重等。为了延续摩尔定律,研究人员提出了一系列新技术,如量子细胞自动机、碳纳米管、自旋器件等。其中,由Likharev等人提出的结合纳米技术和传统CMOS工艺的CMOS/纳米线/分子混合(CMOS/nanowire/MOLecular hybrid,CMOL)技术既兼容成熟的CMOS工艺,又具有纳米线高密度的特点,被认为是最有可能替代CMOS的技术之一。单元映射自动化是CMOL技术发展的重要内容,本文首先阐述了目前已有的CMOL单元映射方法,并在此基础上提出了新的方法。论文的主要内容包括以下三个方面:1.针对传统的基于可满足性的单元映射方法存在的编码变量和约束项过多导致的求解规模较小的问题,提出基于可满足性模理论的映射方法。通过采用整形变量极大地减少了变量数目,通过循序渐进、逐级映射的方法减少每次求解时要处理的约束项个数。实验结果表明,提出的算法与已有的基于可满足性的映射方法相比能够处理更多规模的电路。2.针对遗传算法收敛速度慢,而可满足性方法求解规模小的问题,提出将遗传算法与可满足性方法结合,以利用两种算法各自优势。即首先使用遗传算法进行全局搜索,当算法搜索到最优解附近时利用可满足性模理论加快算法的收敛速度。实验结果表明所提方法能够在处理中规模电路时能更快得到映射解,但处理大规模电路时与遗传算法相比没有明显优势。3.针对CMOL电路存在的缺陷,研究了其在可满足性模理论中的表示形式,并提出了基于可满足性模理论的容错映射方法。
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