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在移动通信的基站、数字发射机以及军事技术领域，高效率、高输出功率、高增益和高线性度的放大器得到了广泛的应用。一般来说，在大功率的功放设计流程中，用于仿真设计的模型是必不可少的。那么，在晶体管的模型无法获取的情况下，我们该怎么去设计微波功率放大器？相对于比较流行的利用晶体管模型设计功放，本文利用实际的负载牵引系统，得到了LDMOS功率管不同阻抗点下的输出功率，增益，效率特性。在保证晶体管稳定性的条件下，利用负载牵引系统得到的阻抗点进行了匹配设计。根据仿真结果得到了版图，并根据设计的版图制作出了功率放大器的实物图。本文设计了可用于基站的频率范围在925-960MHz的大功率、高增益、高效率的射频功率放大器。设计的放大器线性区增益达到了20dB，P3dB输出功率180W，P3dB效率大于60%。测试了微波功率放大器在WCDMA调制方式下的线性度，在输入信号峰均比7.5dB，平均输出功率20W的条件下，输出信号的ACPR小于-36dBc。大功率晶体管一般采用陶瓷平面封装的形式，负载牵引测试系统都是同轴接口，为了能够使用负载牵引系统测量大功率管的各种性能参数，需要设计专门的测试夹具。由于大功率LDMOS晶体管的最优输入和输出的阻抗点都非常低，因此还需要保证该夹具具有阻抗变换的功能。同样的电路结构，复制了5块，进行了5路RF HTOL（High TemperatureOperating Life）测试。该测试一般用于得到晶体管的MTTF(Mean Time to Failure)平均失效时间，或者称有效寿命。MTTF是半导体器件可靠性的参数，通常要求器件在最高结温条件下能正常工作一百万小时。