硅纳米线自从首次实现了大量制备[1-3],其研究便取得了很大进展,这为实现硅纳米线的应用奠定了良好的理论基础。这些研究方法包括:光致发光特性法、拉曼光谱、透射电子显微镜法、X射线衍射分析法、电子输运法以及场发射法等。硅纳米线由于自身所特有的各种光学、电学性质、高表面活性及其在纳米电子器件和合成其它纳米材料的模板等方面的取得的成果,引起了科技界的广泛关注。　　制备硅纳米线有很多种方法,其中激光烧蚀、热蒸发、CVD等方法制备出的硅纳米线通常是自由式的纳米结构。利用气一液一固模式生长硅纳米线,是根据金属催化VLS机理,在硅和二氧化硅等硅源中添加少量Fe,Au,co,Ni,Ti等金属作为催化剂,然后采用激光烧蚀、热蒸发法或CVD法就可大量制备出硅纳米线。还有一些利用其它生长机理制得的硅纳米线,如超临界溶液一液一固生长机理,固一液一固生长的机理等。　　金属催化硅腐蚀法制备硅纳米线是在常压下,在溶液中对硅片进行腐蚀,通过控制腐蚀温度、腐蚀时间,从而得到不同规格的硅纳米线。相比来说,要简单易行很多,而且更可控。　　本文通过单晶硅在各种无机腐蚀溶液及有机腐蚀溶液中的实验结果,通过对比分析、比较,进一步研究探讨了其生长和制备机理,并得到了硅纳米线的腐蚀形貌与腐蚀溶液的成分及浓度,腐蚀时间均有关,并得出了在硝酸盐的腐蚀溶液中硝酸根离子由于具有氧化性,对腐蚀过程起了主导作用这一重要结论。这一研究对改善硅纳米线的制备技术,更好的发展硅纳米线的应用具有重要意义。